ZA-500T電解槽鐵碳壓降測試儀
電解槽壓降測試儀是一種用于測量電解槽電壓降的儀器。它采用高精度測量，能夠準(zhǔn)確測量電解槽中的電壓降，從而幫助用戶了解電解槽的工作狀態(tài)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決潛在問題。該儀有操作簡單、測量準(zhǔn)確、穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)，是電解槽維護(hù)和管理中不可或缺的工具。在電解鋁生產(chǎn)行業(yè)，電解槽壓降是關(guān)系能耗的一個重要指標(biāo)，通過了解壓降知道電解槽的質(zhì)量，
我公司針對這種情況研發(fā)生產(chǎn)電解槽壓降測試儀，可以檢測電解槽陽極導(dǎo)桿壓降
可根據(jù)測試電壓來反應(yīng)陽極導(dǎo)桿上電流情況，鐵碳模塊(陽極炭塊、陰極炭塊)及鋼棒頭
焊接的組裝質(zhì)量,以便篩查選用合格的鐵碳模塊，為電解鋁企業(yè)節(jié)省大量的電費(fèi)。同時(shí)根據(jù)測量數(shù)
據(jù)對不合格的電解槽進(jìn)行處理。Mentor嵌入式多核框架能消除異構(gòu)硬件和軟件環(huán)境的管理復(fù)雜性，從而簡化SoC系統(tǒng)設(shè)計(jì)異構(gòu)多處理對于當(dāng)今的嵌入式應(yīng)用來說正變得越來越重要。片上系統(tǒng)(SoC)架構(gòu)，賽靈思的ZynqUltraScale+MPSoC提供包含四個ARMCortex-A53內(nèi)核以及兩個ARMCortex-R5內(nèi)核的強(qiáng)大異構(gòu)多處理基礎(chǔ)架構(gòu)。除了核心的計(jì)算基礎(chǔ)架構(gòu)外，SoC還包含一系列豐富的硬化外設(shè)IP和FPGA架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)靈活的設(shè)計(jì)模式，從而幫助系統(tǒng)開發(fā)人員創(chuàng)建高性能多處理系統(tǒng)。設(shè)備具有數(shù)據(jù)存儲、導(dǎo)出功能，降低工人勞動強(qiáng)度，提率。
二、性能特點(diǎn)
1、設(shè)備電流大精精度高，一鍵式操作，自動化程度高。
2、采用電子式原理線路結(jié)合DSP采用大屏幕漢字液晶顯示，所有操作均由漢字菜單提示。
3、數(shù)據(jù)具備掉電存貯及瀏覽功能，能與計(jì)算機(jī)聯(lián)機(jī)傳送數(shù)據(jù)
3、數(shù)據(jù)記錄、查詢、刪除功能：設(shè)備具備測試數(shù)據(jù)存儲記錄，對歷史數(shù)據(jù)可查閱；
4、數(shù)據(jù)導(dǎo)出功能：儀表通過數(shù)據(jù)線連接到電腦上，進(jìn)行數(shù)據(jù)儲存、編譯；
5、具有優(yōu)異的扛電磁干擾性能，在電解槽強(qiáng)磁干擾的工作環(huán)境中，依然保證儀器的精度。
三、參數(shù)
1、量程：0-1000mv 分辨率：0.01mv  精度：0.5﹪，
2、電流：0-200000A（客戶選定）
3、顯示:10寸彩色液晶屏

WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進(jìn)和提高的CSP，直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝測試程序，之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式。上述封裝方式中，系統(tǒng)級封裝和晶圓級封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。系統(tǒng)級封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測試等，在發(fā)展的過程中對以上域都將起到帶動作用促進(jìn)電子制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。晶圓級封裝可分為扇入型和扇出型，IC制造域巨頭臺積電能夠拿下蘋果A10訂單，其開發(fā)的集成扇出型封裝功不可沒。MSO系列提供了工具，可以采用強(qiáng)大的數(shù)字觸發(fā)、高分辨率采集功能和分析工具，迅速調(diào)試數(shù)字電路。本應(yīng)用指南重點(diǎn)介紹檢驗(yàn)和調(diào)試技巧，幫助您使用泰克MSO系列更地實(shí)現(xiàn)數(shù)字設(shè)計(jì)。同一個MSO4數(shù)字適配夾上的混合邏輯家族(TTLLVPECL)門限設(shè)置。上面三條通道是TTL信號，門限為1.4V;下面兩條通道是LVPECL信號，門限為2.V。設(shè)置數(shù)字門限混合信號示波器的數(shù)字通道把數(shù)字信號視為邏輯值高或邏輯值低，與數(shù)字電路查看信號的方式一模一樣。